SI6993DQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI6993DQ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI6993DQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI6993DQ даташит

 ..1. Size:218K  vishay
 si6993dq.pdf pdf_icon

SI6993DQ

Si6993DQ Vishay Siliconix Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.031 at VGS = - 10 V - 4.7 - 30 RoHS 0.048 at VGS = - 4.5 V - 3.8 COMPLIANT APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S1 S2 G1 G2 TSSOP-8 D1 1 D2 8 S1 2 S2 7 S1 3 S2 6 G1 4 G2 5 D1 D2 Top View

 9.1. Size:102K  vishay
 si6991dq.pdf pdf_icon

SI6993DQ

Si6991DQ Vishay Siliconix Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.040 at VGS = - 10 V - 4.2 - 30 RoHS 0.068 at VGS = - 4.5 V - 3.2 COMPLIANT APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S1 S2 G1 G2 TSSOP-8 D1 1 D2 8 S1 2 S2 7 S1 3 S2 6 G1 4 G2 5 D1 D2 Top View

Другие IGBT... SI6925ADQ, SI6926ADQ, SI6928DQ, SI6943BDQ, SI6954ADQ, SI6963BDQ, SI6968BEDQ, SI6981DQ, RFP50N06, SI7100DN, SI7101DN, SI7102DN, SI7104DN, SI7106DN, SI7107DN, SI7108DN, SI7110DN