SI7101DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7101DN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 442 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7101DN
SI7101DN Datasheet (PDF)
si7101dn.pdf
New Product Si7101DN Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested Material categorization 0.0072 at VGS = - 10 V - 35d - 30 32 nC For definitions of compliance please see 0.0130 at VGS = - 4.5 V - 35d www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK 1212-8 APPL
si7100dn.pdf
Si7100DN Vishay Siliconix N-Channel 8-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0035 at VGS = 4.5 V 35 COMPLIANT Low Thermal Resistance PowerPAK Package 8 40 nC 0.0045 at VGS = 2.5 V 35 with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK 12
si7107dn.pdf
Si7107DN Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.0108 at VGS = - 4.5 V - 15.3 TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated 0.015 at VGS = - 2.5 V - 20 - 13.0 Ultra Low On-Resistance for Increased 0.020 at VGS = - 1.8 V Battery Life - 11.2 New PowerPAK P
si7108dn.pdf
Si7108DN Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Gen II Power MOSFET for RoHS 0.0049 at VGS = 10 V 22 COMPLIANT 20 20 Ultra Low On-Resistance 0.0061 at VGS = 4.5 V 19.7 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profil
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Liste
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