Справочник MOSFET. SI7101DN

 

SI7101DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7101DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 442 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
 

 Аналог (замена) для SI7101DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7101DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:563K  vishay
si7101dn.pdfpdf_icon

SI7101DN

New ProductSi7101DNVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested Material categorization:0.0072 at VGS = - 10 V - 35d- 30 32 nC For definitions of compliance please see0.0130 at VGS = - 4.5 V - 35dwww.vishay.com/doc?99912PowerPAK 1212-8APPL

 9.1. Size:547K  vishay
si7100dn.pdfpdf_icon

SI7101DN

Si7100DNVishay SiliconixN-Channel 8-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0035 at VGS = 4.5 V 35COMPLIANT Low Thermal Resistance PowerPAK Package8 40 nC0.0045 at VGS = 2.5 V 35with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedPowerPAK 12

 9.2. Size:550K  vishay
si7107dn.pdfpdf_icon

SI7101DN

Si7107DNVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0108 at VGS = - 4.5 V - 15.3 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.015 at VGS = - 2.5 V - 20 - 13.0 Ultra Low On-Resistance for Increased 0.020 at VGS = - 1.8 V Battery Life- 11.2 New PowerPAK P

 9.3. Size:530K  vishay
si7108dn.pdfpdf_icon

SI7101DN

Si7108DNVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Gen II Power MOSFET for RoHS0.0049 at VGS = 10 V 22COMPLIANT20 20 Ultra Low On-Resistance 0.0061 at VGS = 4.5 V 19.7 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package withLow 1.07 mm Profil

Другие MOSFET... SI6928DQ , SI6943BDQ , SI6954ADQ , SI6963BDQ , SI6968BEDQ , SI6981DQ , SI6993DQ , SI7100DN , 7N60 , SI7102DN , SI7104DN , SI7106DN , SI7107DN , SI7108DN , SI7110DN , SI7112DN , SI7113DN .

History: IRFB4310PBF | SFP13N50 | NCEP18N10AR | STI33N65M2 | IRFR3303PBF | TK8P60W5 | IRF7307

 

 
Back to Top

 


 
.