SI7117DN Todos los transistores

 

SI7117DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7117DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
 

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SI7117DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:555K  vishay
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SI7117DN

Si7117DNVishay SiliconixP-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFETs1.2 at VGS = - 10 V - 2.17- 150 7.7 nC PowerPAK Package1.3 at VGS = - 6 V - 2.1- Low Thermal Resistance- Low 1.07 mm Profile Compliant to RoHS Directive 2002/

 9.1. Size:575K  vishay
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SI7117DN

New ProductSi7114ADNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 100 % Rg Tested0.0075 at VGS = 10 V 35COMPLIANT 30 10.2 nC 100 % UIS Tested0.0098 at VGS = 4.5 V 35APPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Synchronous RectificationS3.30

 9.2. Size:532K  vishay
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SI7117DN

Si7110DNVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Gen II Power MOSFET0.0053 at VGS = 10 V RoHS21.120 14 nC New Low Thermal Resistance PowerPAK COMPLIANT 0.0078 at VGS = 4.5 V 17.4Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized

 9.3. Size:547K  vishay
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SI7117DN

Si7115DNVishay SiliconixP-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.295 at VGS = - 10 V - 8.9e Low Thermal Resistance PowerPAK- 150 23.2 nC0.315 at VGS = - 6 V - 8.6ePackage with Small Size and Low 1 mm Profile 100 % Rg and UI

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History: SWD4N50K | IRLZ34S | SWHA7N65D | HSM3214 | NTLJD4116N | STI12NM50N | SSF6401

 

 
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