SI7117DN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7117DN 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-1212-8
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SI7117DN datasheet
si7117dn.pdf
Si7117DN Vishay Siliconix P-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFETs 1.2 at VGS = - 10 V - 2.17 - 150 7.7 nC PowerPAK Package 1.3 at VGS = - 6 V - 2.1 - Low Thermal Resistance - Low 1.07 mm Profile Compliant to RoHS Directive 2002/
si7114adn.pdf
New Product Si7114ADN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 100 % Rg Tested 0.0075 at VGS = 10 V 35 COMPLIANT 30 10.2 nC 100 % UIS Tested 0.0098 at VGS = 4.5 V 35 APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 Synchronous Rectification S 3.30
si7115dn.pdf
Si7115DN Vishay Siliconix P-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.295 at VGS = - 10 V - 8.9e Low Thermal Resistance PowerPAK - 150 23.2 nC 0.315 at VGS = - 6 V - 8.6e Package with Small Size and Low 1 mm Profile 100 % Rg and UI
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History: PDC8974X | DTG025N04NA | IRF7104 | IXTV22N50P | IRFAC40 | IRF3704ZCLPBF
🌐 : EN ES РУ
Liste
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