SI7123DN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7123DN 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 542 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0106 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-1212-8
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SI7123DN datasheet
si7123dn.pdf
New Product Si7123DN Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.0106 at VGS = - 4.5 V - 16.0 TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated - 20 0.0136 at VGS = - 2.5 V - 14.1 Ultra Low On-Resistance for Increased Battery Life 0.0189 at VGS = - 1.8 V - 12.0 New
si7121dn.pdf
New Product Si7121DN Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.018 at VGS = - 10 V - 16d 100% Rg Tested RoHS - 30 22 nC COMPLIANT 100% UIS Tested 0.0305 at VGS = - 4.5 V - 16d APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 Notebook Battery Charging S Noteb
si7120dn.pdf
Si7120DN Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.019 at VGS = 10 V RoHS 10 60 COMPLIANT New Low Thermal Resistance 0.028 at VGS = 4.5 V 8.2 PowerPAK 1212-8 Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested APPLICATIONS PowerPAK 1212-8
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History: HGB110N20S | UPA2725UT1A | PT4606 | FCH25N60N | SML80J28 | IXTV30N60P | 2SK904
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Liste
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