SI7137DP Todos los transistores

 

SI7137DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7137DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00195 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

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SI7137DP Datasheet (PDF)

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SI7137DP

New ProductSi7137DPVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition 0.00195 at VGS = - 10 V- 60d TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET- 20 0.0025 at VGS = - 4.5 V- 60d 183 nC 100 % Rg Tested0.0039 at VGS = - 2.5 V - 60d 100 % UIS Tested

 9.1. Size:482K  vishay
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SI7137DP

Si7138DPVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) Reduced Qgd, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0078 at VGS = 10 V 30 Low Thermal Resistance PowerPAK Package60 550.009 at VGS = 6 V 30 100 % Rg and Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/

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SI7137DP

Si7136DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0032 at VGS = 10 V 30 Ultra-Low On-Resistance Using High20 24.5Density TrenchFET Gen II Power0.0045 at VGS = 4.5 V 30MOSFET TechnologyPowerPAK SO-8 Qg Optimized 100 % Rg Tested

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SI7137DP

New ProductSi7139DPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0055 at VGS = - 10 V - 40d TrenchFET Power MOSFET- 30 49.5 nC 100% Rg Tested0.0090 at VGS = - 4.5 V - 40d 100% UIS TestedPowerPAK SO-8 Compliant to RoHS Directive 2002/

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History: IPP057N08N3G | SSF70R450S | SSM9971 | SRT15N750LD | SRT045N025H | STB200NF03 | TK8A65W

 

 
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