SI7143DP Todos los transistores

 

SI7143DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7143DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 385 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI7143DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  vishay
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SI7143DP

New ProductSi7143DPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e,f Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.0100 at VGS = - 10 V - 35- 30 24.6 nC Low Thermal Resistance PowerPAK0.0186 at VGS = - 4.5V - 35Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile

 9.1. Size:337K  vishay
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SI7143DP

New ProductSi7145DPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0026 at VGS = - 10 V - 60d TrenchFET Power MOSFET- 30 129 nC 100 % Rg Tested0.00375 at VGS = - 4.5 V - 60d 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPA

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SI7143DP

Si7149ADPVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Low On-Resistance for Low Voltage Drop Extended VGS max. Rating: 25 V0.0052 at VGS = - 10 V - 50d- 30 43.1 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0095 at VGS = - 4.5 V - 50d Material categorization: For definitions of

 9.3. Size:107K  vishay
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SI7143DP

New ProductSi7141DPVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0019 at VGS = - 10 V - 60d TrenchFET Power MOSFET- 20 128 nC 100 % Rg Tested0.0030 at VGS = - 4.5 V - 60d 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK

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History: G11 | CEF05N6 | AUIRF7734M2 | AM2336N-T1 | DMP1096UCB4 | SMOS44N80

 

 
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