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SI7145DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7145DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1335 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7145DP

 

Principales características: SI7145DP

 ..1. Size:337K  vishay
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SI7145DP

New Product Si7145DP Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0026 at VGS = - 10 V - 60d TrenchFET Power MOSFET - 30 129 nC 100 % Rg Tested 0.00375 at VGS = - 4.5 V - 60d 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPA

 9.1. Size:305K  vishay
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SI7145DP

Si7149ADP Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Low On-Resistance for Low Voltage Drop Extended VGS max. Rating 25 V 0.0052 at VGS = - 10 V - 50d - 30 43.1 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0095 at VGS = - 4.5 V - 50d Material categorization For definitions of

 9.2. Size:107K  vishay
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SI7145DP

New Product Si7141DP Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0019 at VGS = - 10 V - 60d TrenchFET Power MOSFET - 20 128 nC 100 % Rg Tested 0.0030 at VGS = - 4.5 V - 60d 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK

 9.3. Size:508K  vishay
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SI7145DP

New Product Si7149DP Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0052 at VGS = - 10 V - 50d 100% Rg Tested - 30 51 nC 0.0094 at VGS = - 4.5 V - 50d 100% UIS Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Battery and Load Switching S - Notebook Computers S 6.15 m

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