SI7145DP datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SI7145DP 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1335 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SI7145DP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI7145DP даташит
si7145dp.pdf
New Product Si7145DP Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0026 at VGS = - 10 V - 60d TrenchFET Power MOSFET - 30 129 nC 100 % Rg Tested 0.00375 at VGS = - 4.5 V - 60d 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPA
si7149adp.pdf
Si7149ADP Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Low On-Resistance for Low Voltage Drop Extended VGS max. Rating 25 V 0.0052 at VGS = - 10 V - 50d - 30 43.1 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0095 at VGS = - 4.5 V - 50d Material categorization For definitions of
si7141dp.pdf
New Product Si7141DP Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0019 at VGS = - 10 V - 60d TrenchFET Power MOSFET - 20 128 nC 100 % Rg Tested 0.0030 at VGS = - 4.5 V - 60d 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK
si7149dp.pdf
New Product Si7149DP Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0052 at VGS = - 10 V - 50d 100% Rg Tested - 30 51 nC 0.0094 at VGS = - 4.5 V - 50d 100% UIS Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Battery and Load Switching S - Notebook Computers S 6.15 m
Другие IGBT... SI7123DN, SI7135DP, SI7136DP, SI7137DP, SI7138DP, SI7139DP, SI7141DP, SI7143DP, MMIS60R580P, SI7148DP, SI7149ADP, SI7149DP, SI7156DP, SI7157DP, SI7159DP, SI7160DP, SI7164DP
History: 3N70L-TF3-T | IXTQ30N60L2 | IXTT110N10L2 | PDC2604Z
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107






