SI7149DP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7149DP 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 795 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-SO-8
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de SI7149DP MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SI7149DP datasheet
si7149dp.pdf
New Product Si7149DP Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0052 at VGS = - 10 V - 50d 100% Rg Tested - 30 51 nC 0.0094 at VGS = - 4.5 V - 50d 100% UIS Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Battery and Load Switching S - Notebook Computers S 6.15 m
si7149adp.pdf
Si7149ADP Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Low On-Resistance for Low Voltage Drop Extended VGS max. Rating 25 V 0.0052 at VGS = - 10 V - 50d - 30 43.1 nC 100 % Rg and UIS Tested 0.0095 at VGS = - 4.5 V - 50d Material categorization For definitions of
si7145dp.pdf
New Product Si7145DP Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0026 at VGS = - 10 V - 60d TrenchFET Power MOSFET - 30 129 nC 100 % Rg Tested 0.00375 at VGS = - 4.5 V - 60d 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPA
si7141dp.pdf
New Product Si7141DP Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0019 at VGS = - 10 V - 60d TrenchFET Power MOSFET - 20 128 nC 100 % Rg Tested 0.0030 at VGS = - 4.5 V - 60d 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK
Otros transistores... SI7137DP, SI7138DP, SI7139DP, SI7141DP, SI7143DP, SI7145DP, SI7148DP, SI7149ADP, 60N06, SI7156DP, SI7157DP, SI7159DP, SI7160DP, SI7164DP, SI7170DP, SI7172DP, SI7174DP
History: WST2339 | SI6913DQ
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344
