SI7149DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI7149DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 5.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 23.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 795 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0052 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
SI7149DP Datasheet (PDF)
si7149dp.pdf
New ProductSi7149DPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0052 at VGS = - 10 V - 50d 100% Rg Tested- 30 51 nC0.0094 at VGS = - 4.5 V - 50d 100% UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Battery and Load SwitchingS - Notebook ComputersS6.15 m
si7149adp.pdf
Si7149ADPVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Low On-Resistance for Low Voltage Drop Extended VGS max. Rating: 25 V0.0052 at VGS = - 10 V - 50d- 30 43.1 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0095 at VGS = - 4.5 V - 50d Material categorization: For definitions of
si7145dp.pdf
New ProductSi7145DPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0026 at VGS = - 10 V - 60d TrenchFET Power MOSFET- 30 129 nC 100 % Rg Tested0.00375 at VGS = - 4.5 V - 60d 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPA
si7141dp.pdf
New ProductSi7141DPVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0019 at VGS = - 10 V - 60d TrenchFET Power MOSFET- 20 128 nC 100 % Rg Tested0.0030 at VGS = - 4.5 V - 60d 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK
si7143dp.pdf
New ProductSi7143DPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e,f Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.0100 at VGS = - 10 V - 35- 30 24.6 nC Low Thermal Resistance PowerPAK0.0186 at VGS = - 4.5V - 35Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile
si7148dp.pdf
Si7148DPVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.011 at VGS = 10 V 28 TrenchFET Power MOSFET75 33 nC0.0145 at VGS = 4.5 V 28 100 % Rg TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Primary Side SwitchS6.15 mm 5.15 mm1SD2S3G
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
