SI7156DP Todos los transistores

 

SI7156DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7156DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 605 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

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SI7156DP Datasheet (PDF)

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SI7156DP

Si7156DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0035 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Power MOSFET40 45 nC0.0047 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg Tested 100 % Avalanche TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Synchronous RectificationS6.

 9.1. Size:505K  vishay
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SI7156DP

New ProductSi7159DPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.007 at VGS = - 10 V - 30d 100% Rg TestedRoHS- 30 63 nCCOMPLIANT 100% UIS Tested0.0105 at VGS = - 4.5 V - 30dPowerPAK SO-8APPLICATIONS Notebook Battery ChargingS Notebook

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SI7156DP

Si7153DNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen. III P-Channel power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0095 at VGS = -10 V -18 a Material categorization:-30 0.0120 at VGS = -6 V -18 a 31 nCFor definitions of compliance please see0.0150 at VGS = -4.5 V -18 awww.vi

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SI7156DP

Si7157DPVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0016 at VGS = - 10 V - 60d Material categorization:For definitions of compliance please see- 20 0.0020 at VGS = - 4.5 V - 60d 202.5 nCwww.vishay.com/doc?999120.0032 at VGS

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History: IRFR214A

 

 
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