SI7156DP datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SI7156DP 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 605 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SI7156DP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI7156DP даташит
si7156dp.pdf
Si7156DP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0035 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Power MOSFET 40 45 nC 0.0047 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Synchronous Rectification S 6.
si7159dn.pdf
New Product Si7159DP Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.007 at VGS = - 10 V - 30d 100% Rg Tested RoHS - 30 63 nC COMPLIANT 100% UIS Tested 0.0105 at VGS = - 4.5 V - 30d PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Notebook Battery Charging S Notebook
si7153dn.pdf
Si7153DN www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen. III P-Channel power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.0095 at VGS = -10 V -18 a Material categorization -30 0.0120 at VGS = -6 V -18 a 31 nC For definitions of compliance please see 0.0150 at VGS = -4.5 V -18 a www.vi
si7157dp.pdf
Si7157DP Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0016 at VGS = - 10 V - 60d Material categorization For definitions of compliance please see - 20 0.0020 at VGS = - 4.5 V - 60d 202.5 nC www.vishay.com/doc?99912 0.0032 at VGS
Другие IGBT... SI7138DP, SI7139DP, SI7141DP, SI7143DP, SI7145DP, SI7148DP, SI7149ADP, SI7149DP, IRFP064N, SI7157DP, SI7159DP, SI7160DP, SI7164DP, SI7170DP, SI7172DP, SI7174DP, SI7178DP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f





