SI7156DP - аналоги и даташиты транзистора

 

SI7156DP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI7156DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 605 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

 Аналог (замена) для SI7156DP

 

SI7156DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  vishay
si7156dp.pdfpdf_icon

SI7156DP

Si7156DP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0035 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Power MOSFET 40 45 nC 0.0047 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Synchronous Rectification S 6.

 9.1. Size:505K  vishay
si7159dn.pdfpdf_icon

SI7156DP

New Product Si7159DP Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.007 at VGS = - 10 V - 30d 100% Rg Tested RoHS - 30 63 nC COMPLIANT 100% UIS Tested 0.0105 at VGS = - 4.5 V - 30d PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Notebook Battery Charging S Notebook

 9.2. Size:584K  vishay
si7153dn.pdfpdf_icon

SI7156DP

Si7153DN www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen. III P-Channel power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.0095 at VGS = -10 V -18 a Material categorization -30 0.0120 at VGS = -6 V -18 a 31 nC For definitions of compliance please see 0.0150 at VGS = -4.5 V -18 a www.vi

 9.3. Size:324K  vishay
si7157dp.pdfpdf_icon

SI7156DP

Si7157DP Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0016 at VGS = - 10 V - 60d Material categorization For definitions of compliance please see - 20 0.0020 at VGS = - 4.5 V - 60d 202.5 nC www.vishay.com/doc?99912 0.0032 at VGS

Другие MOSFET... SI7138DP , SI7139DP , SI7141DP , SI7143DP , SI7145DP , SI7148DP , SI7149ADP , SI7149DP , IRFP064N , SI7157DP , SI7159DP , SI7160DP , SI7164DP , SI7170DP , SI7172DP , SI7174DP , SI7178DP .

 

 
Back to Top

 


 
.