SI7159DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7159DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 930 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7159DP
SI7159DP Datasheet (PDF)
si7159dp.pdf
New ProductSi7159DPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.007 at VGS = - 10 V - 30d 100% Rg TestedRoHS- 30 63 nCCOMPLIANT 100% UIS Tested0.0105 at VGS = - 4.5 V - 30dPowerPAK SO-8APPLICATIONS Notebook Battery ChargingS Notebook
si7159dn.pdf
New ProductSi7159DPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.007 at VGS = - 10 V - 30d 100% Rg TestedRoHS- 30 63 nCCOMPLIANT 100% UIS Tested0.0105 at VGS = - 4.5 V - 30dPowerPAK SO-8APPLICATIONS Notebook Battery ChargingS Notebook
si7153dn.pdf
Si7153DNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen. III P-Channel power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0095 at VGS = -10 V -18 a Material categorization:-30 0.0120 at VGS = -6 V -18 a 31 nCFor definitions of compliance please see0.0150 at VGS = -4.5 V -18 awww.vi
si7157dp.pdf
Si7157DPVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0016 at VGS = - 10 V - 60d Material categorization:For definitions of compliance please see- 20 0.0020 at VGS = - 4.5 V - 60d 202.5 nCwww.vishay.com/doc?999120.0032 at VGS
si7156dp.pdf
Si7156DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0035 at VGS = 10 V 50 TrenchFET Power MOSFET40 45 nC0.0047 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg Tested 100 % Avalanche TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Synchronous RectificationS6.
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Liste
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