SI7159DP - аналоги и даташиты транзистора

 

SI7159DP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI7159DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 930 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

 Аналог (замена) для SI7159DP

 

SI7159DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  vishay
si7159dp.pdfpdf_icon

SI7159DP

New Product Si7159DP Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.007 at VGS = - 10 V - 30d 100% Rg Tested RoHS - 30 63 nC COMPLIANT 100% UIS Tested 0.0105 at VGS = - 4.5 V - 30d PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Notebook Battery Charging S Notebook

 7.1. Size:505K  vishay
si7159dn.pdfpdf_icon

SI7159DP

New Product Si7159DP Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.007 at VGS = - 10 V - 30d 100% Rg Tested RoHS - 30 63 nC COMPLIANT 100% UIS Tested 0.0105 at VGS = - 4.5 V - 30d PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Notebook Battery Charging S Notebook

 9.1. Size:584K  vishay
si7153dn.pdfpdf_icon

SI7159DP

Si7153DN www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen. III P-Channel power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.0095 at VGS = -10 V -18 a Material categorization -30 0.0120 at VGS = -6 V -18 a 31 nC For definitions of compliance please see 0.0150 at VGS = -4.5 V -18 a www.vi

 9.2. Size:324K  vishay
si7157dp.pdfpdf_icon

SI7159DP

Si7157DP Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0016 at VGS = - 10 V - 60d Material categorization For definitions of compliance please see - 20 0.0020 at VGS = - 4.5 V - 60d 202.5 nC www.vishay.com/doc?99912 0.0032 at VGS

Другие MOSFET... SI7141DP , SI7143DP , SI7145DP , SI7148DP , SI7149ADP , SI7149DP , SI7156DP , SI7157DP , IRF730 , SI7160DP , SI7164DP , SI7170DP , SI7172DP , SI7174DP , SI7178DP , SI7186DP , SI7190DP .

 

 
Back to Top

 


 
.