SI7170DP Todos los transistores

 

SI7170DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7170DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 595 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI7170DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:491K  vishay
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SI7170DP

Si7170DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.0034 at VGS = 10 V 40g30 29 nC 100 % Rg and Avalanche Tested0.0043 at VGS = 4.5 V 40g Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8APPLICATIONS

 9.1. Size:511K  vishay
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SI7170DP

New ProductSi7174DPVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.007 at VGS = 10 V75 47.5 nC60 100 % Rg Tested COMPLIANT 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Primary Side Switch Synchronous RectificationS 6.15 mm 5.15

 9.2. Size:479K  vishay
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SI7170DP

New ProductSi7178DPVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.014 at VGS = 10 V100 47.5 nC60 100 % Rg Tested COMPLIANT 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Primary Side Switch POL S 6.15 mm 5.15 mm Intermediate

 9.3. Size:508K  vishay
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SI7170DP

New ProductSi7172DPVishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.070 at VGS = 10 V 25 Low Thermal Resistance PowerPAK PackageRoHS200 340.076 at VGS = 6 V 24COMPLIANT 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Pri

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History: IRF6726MPBF | 2SK2471-01 | HGI750N15ML | STP16N65M5 | AP9932GM | CEP12N65 | SMY51

 

 
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