SI7174DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7174DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7174DP
SI7174DP Datasheet (PDF)
si7174dp.pdf
New ProductSi7174DPVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.007 at VGS = 10 V75 47.5 nC60 100 % Rg Tested COMPLIANT 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Primary Side Switch Synchronous RectificationS 6.15 mm 5.15
si7170dp.pdf
Si7170DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.0034 at VGS = 10 V 40g30 29 nC 100 % Rg and Avalanche Tested0.0043 at VGS = 4.5 V 40g Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8APPLICATIONS
si7178dp.pdf
New ProductSi7178DPVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.014 at VGS = 10 V100 47.5 nC60 100 % Rg Tested COMPLIANT 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Primary Side Switch POL S 6.15 mm 5.15 mm Intermediate
si7172dp.pdf
New ProductSi7172DPVishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.070 at VGS = 10 V 25 Low Thermal Resistance PowerPAK PackageRoHS200 340.076 at VGS = 6 V 24COMPLIANT 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Pri
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Liste
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