Справочник MOSFET. SI7174DP

 

SI7174DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7174DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
 

 Аналог (замена) для SI7174DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7174DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:511K  vishay
si7174dp.pdfpdf_icon

SI7174DP

New ProductSi7174DPVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.007 at VGS = 10 V75 47.5 nC60 100 % Rg Tested COMPLIANT 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Primary Side Switch Synchronous RectificationS 6.15 mm 5.15

 9.1. Size:491K  vishay
si7170dp.pdfpdf_icon

SI7174DP

Si7170DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.0034 at VGS = 10 V 40g30 29 nC 100 % Rg and Avalanche Tested0.0043 at VGS = 4.5 V 40g Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8APPLICATIONS

 9.2. Size:479K  vishay
si7178dp.pdfpdf_icon

SI7174DP

New ProductSi7178DPVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.014 at VGS = 10 V100 47.5 nC60 100 % Rg Tested COMPLIANT 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Primary Side Switch POL S 6.15 mm 5.15 mm Intermediate

 9.3. Size:508K  vishay
si7172dp.pdfpdf_icon

SI7174DP

New ProductSi7172DPVishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.070 at VGS = 10 V 25 Low Thermal Resistance PowerPAK PackageRoHS200 340.076 at VGS = 6 V 24COMPLIANT 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Pri

Другие MOSFET... SI7149DP , SI7156DP , SI7157DP , SI7159DP , SI7160DP , SI7164DP , SI7170DP , SI7172DP , 20N60 , SI7178DP , SI7186DP , SI7190DP , SI7192DP , SI7194DP , SI7196DP , SI7212DN , SI7216DN .

History: RCJ700N20

 

 
Back to Top

 


 
.