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SI7178DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7178DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

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Principales características: SI7178DP

 ..1. Size:479K  vishay
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SI7178DP

New Product Si7178DP Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.014 at VGS = 10 V 100 47.5 nC 60 100 % Rg Tested COMPLIANT 100 % UIS Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Primary Side Switch POL S 6.15 mm 5.15 mm Intermediate

 9.1. Size:511K  vishay
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SI7178DP

New Product Si7174DP Vishay Siliconix N-Channel 75-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.007 at VGS = 10 V 75 47.5 nC 60 100 % Rg Tested COMPLIANT 100 % UIS Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Primary Side Switch Synchronous Rectification S 6.15 mm 5.15

 9.2. Size:491K  vishay
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SI7178DP

 9.3. Size:508K  vishay
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SI7178DP

New Product Si7172DP Vishay Siliconix N-Channel 200-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.070 at VGS = 10 V 25 Low Thermal Resistance PowerPAK Package RoHS 200 34 0.076 at VGS = 6 V 24 COMPLIANT 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Pri

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