SI7190DP Todos los transistores

 

SI7190DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7190DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.118 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

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SI7190DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:478K  vishay
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SI7190DP

New ProductSi7190DPVishay SiliconixN-Channel 250-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)g Qg (Typ.)Definition 0.118 at VGS = 10 V 18.4 TrenchFET Power MOSFET250 320.124 at VGS = 6 V 18.0 Low Thermal Resistance PowerPAK Package 100 % Rg TestedPowerPAK SO-8 100 % UIS Tes

 9.1. Size:480K  vishay
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SI7190DP

New ProductSi7194DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETsRoHS0.002 at VGS = 10 V 60COMPLIANT 100 % Rg Tested25 42 nC0.0025 at VGS = 4.5 V 60 100 % Avalanche TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Low-Side in CPU and GPU core DC/DC

 9.2. Size:506K  vishay
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SI7190DP

New ProductSi7192DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFETRoHS0.0019 at VGS = 10 V 60COMPLIANT 30 43.5 nC 100 % Rg Tested0.00225 at VGS = 4.5 V 60 100 % Avalanche TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 VRM, POL, Server High

 9.3. Size:477K  vishay
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SI7190DP

Si7196DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.011 at VGS = 10 V 16g Extremely Low Qgd WFET Technology 30 13.2 nC0.0145 at VGS = 4.5 V 16g for Switching Losses 100 % Rg TestedPowerPAK SO-8 100 % Avalanche TestedAPPLICATIONS

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History: NIF5002NT1G | SJMN850R80ZF

 

 
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