SI7190DP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7190DP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.118 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7190DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7190DP даташит

 ..1. Size:478K  vishay
 si7190dp.pdf pdf_icon

SI7190DP

New Product Si7190DP Vishay Siliconix N-Channel 250-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)g Qg (Typ.) Definition 0.118 at VGS = 10 V 18.4 TrenchFET Power MOSFET 250 32 0.124 at VGS = 6 V 18.0 Low Thermal Resistance PowerPAK Package 100 % Rg Tested PowerPAK SO-8 100 % UIS Tes

 9.1. Size:480K  vishay
 si7194dp.pdf pdf_icon

SI7190DP

New Product Si7194DP Vishay Siliconix N-Channel 25-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETs RoHS 0.002 at VGS = 10 V 60 COMPLIANT 100 % Rg Tested 25 42 nC 0.0025 at VGS = 4.5 V 60 100 % Avalanche Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Low-Side in CPU and GPU core DC/DC

 9.2. Size:506K  vishay
 si7192dp.pdf pdf_icon

SI7190DP

New Product Si7192DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFET RoHS 0.0019 at VGS = 10 V 60 COMPLIANT 30 43.5 nC 100 % Rg Tested 0.00225 at VGS = 4.5 V 60 100 % Avalanche Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 VRM, POL, Server High

 9.3. Size:477K  vishay
 si7196dp.pdf pdf_icon

SI7190DP

Si7196DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.011 at VGS = 10 V 16g Extremely Low Qgd WFET Technology 30 13.2 nC 0.0145 at VGS = 4.5 V 16g for Switching Losses 100 % Rg Tested PowerPAK SO-8 100 % Avalanche Tested APPLICATIONS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI7159DP, SI7160DP, SI7164DP, SI7170DP, SI7172DP, SI7174DP, SI7178DP, SI7186DP, IRF540N, SI7192DP, SI7194DP, SI7196DP, SI7212DN, SI7216DN, SI7220DN, SI7222DN, SI7224DN