SI7190DP
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI7190DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 4.4
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 18.4
nC
trⓘ -
Время нарастания: 14
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 96
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.118
Ohm
Тип корпуса:
POWERPAK-SO-8
Аналог (замена) для SI7190DP
SI7190DP
Datasheet (PDF)
..1. Size:478K vishay
si7190dp.pdf New ProductSi7190DPVishay SiliconixN-Channel 250-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)g Qg (Typ.)Definition 0.118 at VGS = 10 V 18.4 TrenchFET Power MOSFET250 320.124 at VGS = 6 V 18.0 Low Thermal Resistance PowerPAK Package 100 % Rg TestedPowerPAK SO-8 100 % UIS Tes
9.1. Size:480K vishay
si7194dp.pdf New ProductSi7194DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETsRoHS0.002 at VGS = 10 V 60COMPLIANT 100 % Rg Tested25 42 nC0.0025 at VGS = 4.5 V 60 100 % Avalanche TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Low-Side in CPU and GPU core DC/DC
9.2. Size:506K vishay
si7192dp.pdf New ProductSi7192DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFETRoHS0.0019 at VGS = 10 V 60COMPLIANT 30 43.5 nC 100 % Rg Tested0.00225 at VGS = 4.5 V 60 100 % Avalanche TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 VRM, POL, Server High
9.3. Size:477K vishay
si7196dp.pdf Si7196DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.011 at VGS = 10 V 16g Extremely Low Qgd WFET Technology 30 13.2 nC0.0145 at VGS = 4.5 V 16g for Switching Losses 100 % Rg TestedPowerPAK SO-8 100 % Avalanche TestedAPPLICATIONS
Другие MOSFET... IRFP344
, IRFP350
, IRFP350A
, IRFP350FI
, IRFP350LC
, IRFP351
, IRFP352
, IRFP353
, 2SK3568
, IRFP360
, IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
.