SI7270DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7270DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7270DP
SI7270DP Datasheet (PDF)
si7270dp.pdf
New ProductSi7270DPVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f Qg (Typ.)Definition 0.021 at VGS = 10 V 8 TrenchFET Power MOSFET30 6.6 PWM Optimized0.025 at VGS = 4.5 V 8 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECA
si7272dp.pdf
New ProductSi7272DPVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0093 at VGS = 10 V 25 PWM Optimized30 8.20.0124 at VGS = 4.5 V 25APPLICATIONS System Power DC/DCPowerPAK SO-8D1 D2S16.15 mm 5.15 mm1G12S2
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Liste
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