SI7270DP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7270DP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7270DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7270DP даташит

 ..1. Size:499K  vishay
 si7270dp.pdf pdf_icon

SI7270DP

New Product Si7270DP Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)f Qg (Typ.) Definition 0.021 at VGS = 10 V 8 TrenchFET Power MOSFET 30 6.6 PWM Optimized 0.025 at VGS = 4.5 V 8 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC A

 9.1. Size:477K  vishay
 si7272dp.pdf pdf_icon

SI7270DP

New Product Si7272DP Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0093 at VGS = 10 V 25 PWM Optimized 30 8.2 0.0124 at VGS = 4.5 V 25 APPLICATIONS System Power DC/DC PowerPAK SO-8 D1 D2 S1 6.15 mm 5.15 mm 1 G1 2 S2

Другие IGBT... SI7222DN, SI7224DN, SI7228DN, SI7230DN, SI7232DN, SI7234DP, SI7236DP, SI7252DP, IRFB4227, SI7272DP, SI7288DP, SI7302DN, SI7308DN, SI7309DN, SI7315DN, SI7317DN, SI7322DN