Справочник MOSFET. SI7270DP

 

SI7270DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI7270DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

 Аналог (замена) для SI7270DP

 

 

SI7270DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:499K  vishay
 si7270dp.pdf

SI7270DP SI7270DP

New ProductSi7270DPVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f Qg (Typ.)Definition 0.021 at VGS = 10 V 8 TrenchFET Power MOSFET30 6.6 PWM Optimized0.025 at VGS = 4.5 V 8 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECA

 9.1. Size:477K  vishay
 si7272dp.pdf

SI7270DP SI7270DP

New ProductSi7272DPVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0093 at VGS = 10 V 25 PWM Optimized30 8.20.0124 at VGS = 4.5 V 25APPLICATIONS System Power DC/DCPowerPAK SO-8D1 D2S16.15 mm 5.15 mm1G12S2

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: SI7792DP | SIHFIZ24G

 

 
Back to Top