SI7288DP Todos los transistores

 

SI7288DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7288DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de SI7288DP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

Principales características: SI7288DP

 ..1. Size:492K  vishay
 si7288dp.pdf pdf_icon

SI7288DP

New Product Si7288DP Vishay Siliconix Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.019 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Gen III Power MOSFET 40 4.9 0.022 at VGS = 4.5 V 19 PWM Optimized 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 20

Otros transistores... SI7228DN , SI7230DN , SI7232DN , SI7234DP , SI7236DP , SI7252DP , SI7270DP , SI7272DP , 8205A , SI7302DN , SI7308DN , SI7309DN , SI7315DN , SI7317DN , SI7322DN , SI7326DN , SI7328DN .

History: NTS4172NT1G | NTS4173PT1G

 

 
Back to Top

 


 
.