SI7288DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7288DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
Búsqueda de reemplazo de SI7288DP MOSFET
SI7288DP Datasheet (PDF)
si7288dp.pdf

New ProductSi7288DPVishay SiliconixDual N-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition 0.019 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Gen III Power MOSFET40 4.90.022 at VGS = 4.5 V 19 PWM Optimized 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 20
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History: AP86T02GJB | STD70N02L | AO4447A | SWMN15N50D | FQI16N25CTU | 7N60F | IPP60R600C6
History: AP86T02GJB | STD70N02L | AO4447A | SWMN15N50D | FQI16N25CTU | 7N60F | IPP60R600C6



Liste
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