SI7302DN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7302DN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 220 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-1212-8

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SI7302DN datasheet

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SI7302DN

Si7302DN Vishay Siliconix N-Channel 220-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.320 at VGS = 10 V 8.4 TrenchFET Power MOSFET 220 9.1 nC 0.340 at VGS = 6 V 8.2 100 % Rg Tested APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 Primary Side Switching S D 3.30 mm 3.30 mm 1 S 2 S

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SI7302DN

Si7308DN Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.058 at VGS = 10 V 6 TrenchFET Power MOSFET 60 13 nC 0.072 at VGS = 4.5 V 6 Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile PowerPAK 1212-8 APPLICATIONS

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SI7302DN

Si7309DN Vishay Siliconix P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.115 at VGS = - 10 V - 8 TrenchFET Power MOSFET - 60 14.5 nC 0.146 at VGS = - 4.5 V - 8 Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile APPLICATIONS PowerPAK

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