SI7315DN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7315DN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.315 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-1212-8

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SI7315DN datasheet

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SI7315DN

Si7315DN Vishay Siliconix P-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. Low Thermal Resistance PowerPAK ID (A)e Qg (Typ.) Package with Small Size 0.315 at VGS = - 10 V - 8.9 100 % Rg and UIS Tested - 150 15.4 nC 0.350 at VGS = - 6 V - 8.7 Material categorization Available For definitions of complia

 9.1. Size:563K  vishay
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SI7315DN

Si7317DN Vishay Siliconix P-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)f Qg (Typ.) PowerPAK Package - Low Thermal Resistance 1.2 at VGS = - 10 V - 2.8 - 150 6.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 1.3 at VGS = - 6 V - 2.7 Material categorization Available For definitions of compliance please see ww

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