Справочник MOSFET. SI7315DN

 

SI7315DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI7315DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.315 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

 Аналог (замена) для SI7315DN

 

 

SI7315DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:558K  vishay
 si7315dn.pdf

SI7315DN SI7315DN

Si7315DNVishay SiliconixP-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. Low Thermal Resistance PowerPAKID (A)e Qg (Typ.)Package with Small Size0.315 at VGS = - 10 V - 8.9 100 % Rg and UIS Tested- 150 15.4 nC0.350 at VGS = - 6 V - 8.7 Material categorization:AvailableFor definitions of complia

 9.1. Size:563K  vishay
 si7317dn.pdf

SI7315DN SI7315DN

Si7317DNVishay SiliconixP-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V)RDS(on) () Max. ID (A)f Qg (Typ.) PowerPAK Package- Low Thermal Resistance1.2 at VGS = - 10 V - 2.8- 150 6.5 nC 100 % Rg and UIS Tested1.3 at VGS = - 6 V - 2.7 Material categorization:AvailableFor definitions of compliance please seeww

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AOT262L

 

 
Back to Top