SI7322DN Todos los transistores

 

SI7322DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7322DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
 

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SI7322DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:542K  vishay
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SI7322DN

New ProductSi7322DNVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 100 % UIS Tested0.058 at VGS = 10 V 100 18 13 nC RoHSCOMPLIANTAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Primary Switch Isolated DC/DC ConvertersS3.30 mm 3.30 mm1DS

 9.1. Size:573K  vishay
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SI7322DN

New ProductSi7328DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.0066 at VGS = 10 V 35COMPLIANT30 21 nC Low Thermal Resistance PowerPAK 0.0076 at VGS = 4.5 V 35Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested

 9.2. Size:532K  vishay
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SI7322DN

Si7326DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0195 at VGS = 10 V 10 TrenchFET Power MOSFET300.030 at VGS = 4.5 V 8 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK 1212-8APPLI

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History: WMQ040N03LG2 | JFPC2N80C | NCEP040N85G | NP20P06SLG | SNN3100L10Q | 2SK1589 | IRLU014PBF

 

 
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