SI7322DN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7322DN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-1212-8

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SI7322DN datasheet

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SI7322DN

New Product Si7322DN Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 100 % UIS Tested 0.058 at VGS = 10 V 100 18 13 nC RoHS COMPLIANT APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 Primary Switch Isolated DC/DC Converters S 3.30 mm 3.30 mm 1 D S

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SI7322DN

New Product Si7328DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0066 at VGS = 10 V 35 COMPLIANT 30 21 nC Low Thermal Resistance PowerPAK 0.0076 at VGS = 4.5 V 35 Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested

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SI7322DN

Si7326DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0195 at VGS = 10 V 10 TrenchFET Power MOSFET 30 0.030 at VGS = 4.5 V 8 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK 1212-8 APPLI

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