SI7336ADP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7336ADP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 860 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

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SI7336ADP datasheet

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SI7336ADP

Si7336ADP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) VDS (V) Ultra-Low On-Resistance Using High RoHS 0.0030 at VGS = 10 V 30 Density TrenchFET Gen II Power COMPLIANT 30 36 MOSFET Technology 0.0040 at VGS = 4.5 V 27 Qg Optimized New Low Thermal Resistance PowerPAK Packag

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SI7336ADP

Si7336ADP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) VDS (V) Ultra-Low On-Resistance Using High RoHS 0.0030 at VGS = 10 V 30 Density TrenchFET Gen II Power COMPLIANT 30 36 MOSFET Technology 0.0040 at VGS = 4.5 V 27 Qg Optimized New Low Thermal Resistance PowerPAK Packag

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SI7336ADP

Si7336DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES D Ultra-Low On-Resistance Using High Density PRODUCT SUMMARY TrenchFETr Gen II Power MOSFET Technology D Qg Optimized VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) Qg (Typ) D New Low Thermal Resistance PowerPAKr Package 0.00325 @ VGS = 10 V 30 with Low 1.07-mm Profile 30 36 30 36 0.0042 @ VGS = 4.5 V 27 D 100% Rg Tested APPLICATIONS D

Otros transistores... SI7302DN, SI7308DN, SI7309DN, SI7315DN, SI7317DN, SI7322DN, SI7326DN, SI7328DN, IRF1010E, SI7342DP, SI7344DP, SI7356ADP, SI7358ADP, SI7366DP, SI7368DP, SI7370ADP, SI7370DP