SI7336ADP Todos los transistores

 

SI7336ADP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7336ADP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 860 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

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SI7336ADP Datasheet (PDF)

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SI7336ADP

Si7336ADPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableRDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)VDS (V) Ultra-Low On-Resistance Using High RoHS0.0030 at VGS = 10 V 30Density TrenchFET Gen II Power COMPLIANT 30 36MOSFET Technology0.0040 at VGS = 4.5 V 27 Qg Optimized New Low Thermal Resistance PowerPAK Packag

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SI7336ADP

Si7336ADPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableRDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)VDS (V) Ultra-Low On-Resistance Using High RoHS0.0030 at VGS = 10 V 30Density TrenchFET Gen II Power COMPLIANT 30 36MOSFET Technology0.0040 at VGS = 4.5 V 27 Qg Optimized New Low Thermal Resistance PowerPAK Packag

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Si7336DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESD Ultra-Low On-Resistance Using High DensityPRODUCT SUMMARYTrenchFETr Gen II Power MOSFET TechnologyD Qg OptimizedVDS (V) rDS(on) (W) ID (A) Qg (Typ)D New Low Thermal Resistance PowerPAKr Package0.00325 @ VGS = 10 V 30with Low 1.07-mm Profile30 3630 360.0042 @ VGS = 4.5 V 27 D 100% Rg TestedAPPLICATIONSD

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History: RU30L30M | IRFR2407 | RU5H18Q | JSM3622 | FDB86563F085 | SIS862DN | IRFAE50

 

 
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