SI7374DP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7374DP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 870 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

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SI7374DP datasheet

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SI7374DP

Si7374DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0055 at VGS = 10 V 24 TrenchFET Power MOSFET 30 36 nC 0.0066 at VGS = 4.5 V 24 100 % Rg Tested SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY APPLICATIONS VSD (V) VDS (V) IF (A) DC/

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SI7374DP

New Product Si7370ADP Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)b, c Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.010 at VGS = 10 V 16 100 % Rg Tested COMPLIANT 60 45 0.0125 at VGS = 6 V 14.4 100 % UIS Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Primary Side Switch for 24 V DC/DC Applications

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SI7374DP

Si7370DP Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.011 at VGS = 10 V 15.8 TrenchFET Power MOSFET 60 0.013 at VGS = 6 V 14.5 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching 100 % Rg Tested

Otros transistores... SI7342DP, SI7344DP, SI7356ADP, SI7358ADP, SI7366DP, SI7368DP, SI7370ADP, SI7370DP, P55NF06, SI7380ADP, SI7382DP, SI7384DP, SI7386DP, SI7388DP, SI7390DP, SI7392ADP, SI7392DP