SI7388DP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7388DP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

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SI7388DP datasheet

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SI7388DP

Si7388DP Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.007 at VGS = 10 V 19 COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK 30 0.010 at VGS = 4.5 V 15 Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8

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SI7388DP

Si7380ADP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.003 at VGS = 10 V 40 PWM Optimized COMPLIANT 30 54 nC 0.0035 at VGS = 4.5 V 40 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK

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SI7388DP

Si7382DP Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Ultra-Low On-Resistance Using High RoHS 0.0047 at VGS = 10 V 24 30 Density TrenchFET Gen II Power COMPLIANT 0.0062 at VGS = 4.5 V 21 MOSFET Technology Qg Optimized New Low Thermal Resistance PowerPAK Package wi

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SI7388DP

Si7384DP Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Gen II Power MOSFET RoHS 0.0085 at VGS = 10 V 18 COMPLIANT PWM Optimized for High Efficiency 30 0.0125 at VGS = 4.5 V 14 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 1

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