Справочник MOSFET. SI7388DP

 

SI7388DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7388DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
 

 Аналог (замена) для SI7388DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7388DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  vishay
si7388dp.pdfpdf_icon

SI7388DP

Si7388DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.007 at VGS = 10 V 19COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK300.010 at VGS = 4.5 V 15 Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested APPLICATIONSPowerPAK SO-8

 9.1. Size:467K  vishay
si7380adp.pdfpdf_icon

SI7388DP

Si7380ADPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.003 at VGS = 10 V 40 PWM Optimized COMPLIANT30 54 nC0.0035 at VGS = 4.5 V 40 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedPowerPAK

 9.2. Size:487K  vishay
si7382dp.pdfpdf_icon

SI7388DP

Si7382DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Ultra-Low On-Resistance Using HighRoHS0.0047 at VGS = 10 V 2430 Density TrenchFET Gen II Power COMPLIANT0.0062 at VGS = 4.5 V 21MOSFET Technology Qg Optimized New Low Thermal Resistance PowerPAK Package wi

 9.3. Size:460K  vishay
si7384dp.pdfpdf_icon

SI7388DP

Si7384DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Gen II Power MOSFETRoHS0.0085 at VGS = 10 V 18COMPLIANT PWM Optimized for High Efficiency300.0125 at VGS = 4.5 V 14 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile 1

Другие MOSFET... SI7368DP , SI7370ADP , SI7370DP , SI7374DP , SI7380ADP , SI7382DP , SI7384DP , SI7386DP , IRF530 , SI7390DP , SI7392ADP , SI7392DP , SI7402DN , SI7403BDN , SI7404DN , SI7405BDN , SI7407DN .

History: WSD30L90DN56 | FDD6296 | SSP7N60B | WMS09P02TS | MTEF1P15AV8 | RD3P050SN | NTTFS003N04C

 

 
Back to Top

 


 
.