SI7388DP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7388DP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7388DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7388DP даташит

 ..1. Size:460K  vishay
 si7388dp.pdf pdf_icon

SI7388DP

Si7388DP Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.007 at VGS = 10 V 19 COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK 30 0.010 at VGS = 4.5 V 15 Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8

 9.1. Size:467K  vishay
 si7380adp.pdf pdf_icon

SI7388DP

Si7380ADP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.003 at VGS = 10 V 40 PWM Optimized COMPLIANT 30 54 nC 0.0035 at VGS = 4.5 V 40 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK

 9.2. Size:487K  vishay
 si7382dp.pdf pdf_icon

SI7388DP

Si7382DP Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Ultra-Low On-Resistance Using High RoHS 0.0047 at VGS = 10 V 24 30 Density TrenchFET Gen II Power COMPLIANT 0.0062 at VGS = 4.5 V 21 MOSFET Technology Qg Optimized New Low Thermal Resistance PowerPAK Package wi

 9.3. Size:460K  vishay
 si7384dp.pdf pdf_icon

SI7388DP

Si7384DP Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Gen II Power MOSFET RoHS 0.0085 at VGS = 10 V 18 COMPLIANT PWM Optimized for High Efficiency 30 0.0125 at VGS = 4.5 V 14 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI7368DP, SI7370ADP, SI7370DP, SI7374DP, SI7380ADP, SI7382DP, SI7384DP, SI7386DP, IRFB3607, SI7390DP, SI7392ADP, SI7392DP, SI7402DN, SI7403BDN, SI7404DN, SI7405BDN, SI7407DN