SI7390DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI7390DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7390DP

SI7390DP Datasheet (PDF)

..1. Size:476K vishay
si7390dp.pdf

Si7390DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0095 at VGS = 10 V 15 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses300.0135 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Prof

9.1. Size:492K vishay
si7392ad.pdf

Si7392ADPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) Extremely Low Qgd WFET Technology RoHS0.0075 at VGS = 10 V 30for Low Switching LossesCOMPLIANT 30 12 TrenchFET Power MOSFET0.0115 at VGS = 4.5 V 30 New Low Thermal ResistancePowerPAK Package

9.2. Size:473K vishay
si7392dp.pdf

Si7392DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.00975 at VGS = 10 V 1530 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses0.01375 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm

9.3. Size:473K vishay
si7392adp.pdf

Si7392ADPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0075 at VGS = 10 V 30 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses30 12 TrenchFET Power MOSFET0.0115 at VGS = 4.5 V 30 New Low Thermal ResistancePowerPAK PowerPAK SO

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Liste

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