SI7390DP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7390DP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SI7390DP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SI7390DP datasheet

 ..1. Size:476K  vishay
 si7390dp.pdf pdf_icon

SI7390DP

Si7390DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.0095 at VGS = 10 V 15 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses 30 0.0135 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Prof

 9.1. Size:492K  vishay
 si7392ad.pdf pdf_icon

SI7390DP

Si7392ADP Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Extremely Low Qgd WFET Technology RoHS 0.0075 at VGS = 10 V 30 for Low Switching Losses COMPLIANT 30 12 TrenchFET Power MOSFET 0.0115 at VGS = 4.5 V 30 New Low Thermal ResistancePowerPAK Package

 9.2. Size:473K  vishay
 si7392dp.pdf pdf_icon

SI7390DP

Si7392DP Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.00975 at VGS = 10 V 15 30 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses 0.01375 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm

 9.3. Size:473K  vishay
 si7392adp.pdf pdf_icon

SI7390DP

Si7392ADP Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0075 at VGS = 10 V 30 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses 30 12 TrenchFET Power MOSFET 0.0115 at VGS = 4.5 V 30 New Low Thermal ResistancePowerPAK PowerPAK SO

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SI7370ADP, SI7370DP, SI7374DP, SI7380ADP, SI7382DP, SI7384DP, SI7386DP, SI7388DP, AON7506, SI7392ADP, SI7392DP, SI7402DN, SI7403BDN, SI7404DN, SI7405BDN, SI7407DN, SI7409ADN