SI7390DP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7390DP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7390DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7390DP даташит

 ..1. Size:476K  vishay
 si7390dp.pdf pdf_icon

SI7390DP

Si7390DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.0095 at VGS = 10 V 15 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses 30 0.0135 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Prof

 9.1. Size:492K  vishay
 si7392ad.pdf pdf_icon

SI7390DP

Si7392ADP Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Extremely Low Qgd WFET Technology RoHS 0.0075 at VGS = 10 V 30 for Low Switching Losses COMPLIANT 30 12 TrenchFET Power MOSFET 0.0115 at VGS = 4.5 V 30 New Low Thermal ResistancePowerPAK Package

 9.2. Size:473K  vishay
 si7392dp.pdf pdf_icon

SI7390DP

Si7392DP Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.00975 at VGS = 10 V 15 30 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses 0.01375 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm

 9.3. Size:473K  vishay
 si7392adp.pdf pdf_icon

SI7390DP

Si7392ADP Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0075 at VGS = 10 V 30 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses 30 12 TrenchFET Power MOSFET 0.0115 at VGS = 4.5 V 30 New Low Thermal ResistancePowerPAK PowerPAK SO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI7370ADP, SI7370DP, SI7374DP, SI7380ADP, SI7382DP, SI7384DP, SI7386DP, SI7388DP, AON7506, SI7392ADP, SI7392DP, SI7402DN, SI7403BDN, SI7404DN, SI7405BDN, SI7407DN, SI7409ADN