Справочник MOSFET. SI7390DP

 

SI7390DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7390DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7390DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  vishay
si7390dp.pdfpdf_icon

SI7390DP

Si7390DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0095 at VGS = 10 V 15 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses300.0135 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Prof

 9.1. Size:492K  vishay
si7392ad.pdfpdf_icon

SI7390DP

Si7392ADPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) Extremely Low Qgd WFET Technology RoHS0.0075 at VGS = 10 V 30for Low Switching LossesCOMPLIANT 30 12 TrenchFET Power MOSFET0.0115 at VGS = 4.5 V 30 New Low Thermal ResistancePowerPAK Package

 9.2. Size:473K  vishay
si7392dp.pdfpdf_icon

SI7390DP

Si7392DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.00975 at VGS = 10 V 1530 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses0.01375 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm

 9.3. Size:473K  vishay
si7392adp.pdfpdf_icon

SI7390DP

Si7392ADPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0075 at VGS = 10 V 30 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses30 12 TrenchFET Power MOSFET0.0115 at VGS = 4.5 V 30 New Low Thermal ResistancePowerPAK PowerPAK SO

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BUK9Y7R6-40E | SIHG47N60S | AP02N70EI-HF | HGI110N08AL | AUIRFR6215 | NTMFS5C410NT3G | 9N95

 

 
Back to Top

 


 
.