SI7392ADP Todos los transistores

 

SI7392ADP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7392ADP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

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SI7392ADP Datasheet (PDF)

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SI7392ADP

Si7392ADPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0075 at VGS = 10 V 30 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses30 12 TrenchFET Power MOSFET0.0115 at VGS = 4.5 V 30 New Low Thermal ResistancePowerPAK PowerPAK SO

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SI7392ADP

Si7392ADPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) Extremely Low Qgd WFET Technology RoHS0.0075 at VGS = 10 V 30for Low Switching LossesCOMPLIANT 30 12 TrenchFET Power MOSFET0.0115 at VGS = 4.5 V 30 New Low Thermal ResistancePowerPAK Package

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SI7392ADP

Si7392DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.00975 at VGS = 10 V 1530 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses0.01375 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm

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SI7392ADP

Si7390DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0095 at VGS = 10 V 15 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses300.0135 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Prof

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History: WNMD2176 | RU3080L | STI150N10F7 | KIA3510A-252 | SRT10N230LM | IPN95R3K7P7 | SIRA06DP

 

 
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