SI7392ADP
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI7392ADP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 17.5
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 30
nC
trⓘ -
Время нарастания: 50
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 360
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075
Ohm
Тип корпуса:
POWERPAK-SO-8
Аналог (замена) для SI7392ADP
SI7392ADP
Datasheet (PDF)
..1. Size:473K vishay
si7392adp.pdf 
Si7392ADPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0075 at VGS = 10 V 30 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses30 12 TrenchFET Power MOSFET0.0115 at VGS = 4.5 V 30 New Low Thermal ResistancePowerPAK PowerPAK SO
6.1. Size:492K vishay
si7392ad.pdf 
Si7392ADPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) Extremely Low Qgd WFET Technology RoHS0.0075 at VGS = 10 V 30for Low Switching LossesCOMPLIANT 30 12 TrenchFET Power MOSFET0.0115 at VGS = 4.5 V 30 New Low Thermal ResistancePowerPAK Package
8.1. Size:473K vishay
si7392dp.pdf 
Si7392DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.00975 at VGS = 10 V 1530 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses0.01375 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm
9.1. Size:476K vishay
si7390dp.pdf 
Si7390DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0095 at VGS = 10 V 15 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses300.0135 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Prof
Другие MOSFET... FMM50-025TF
, FMM60-02TF
, FMM75-01F
, FMP26-02P
, FMP36-015P
, FMP76-01T
, GMM3x100-01X1-SMD
, FDMS0306AS
, RFP50N06
, FDMS0300S
, GMM3x160-0055X2-SMD
, FDMC7200S
, GMM3x180-004X2-SMD
, FDMC7200
, GMM3x60-015X2-SMD
, FDMC0310AS
, GWM100-0085X1-SL
.
