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SI7430DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7430DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

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Principales características: SI7430DP

 ..1. Size:486K  vishay
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SI7430DP

Si7430DP Vishay Siliconix N-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.045 at VGS = 10 V 26 Extremely Low Qgd for Reduced dV/dt, Qgd and 150 23 nC Shoot-Through 0.047 at VGS = 8 V 25 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 Compliant to RoHS

 9.1. Size:482K  vishay
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SI7430DP

Si7439DP Vishay Siliconix P-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.090 at VGS = - 10 V - 5.2 TrenchFET Power MOSFETs - 150 0.095 at VGS = - 6 V Ultra-Low On-Resistance Critical for Application - 5.0 Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profi

 9.2. Size:467K  vishay
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SI7430DP

Si7434DP Vishay Siliconix N-Channel 250-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.155 at VGS = 10 V 3.8 PWM-OptimizedTrenchFET Power MOSFET 250 0.162 at VGS = 6 V 100 % Rg Tested 3.7 Avalanche Tested APPLICATIONS Primary Side Switch In D - Telecom Power Supplies Power

 9.3. Size:493K  vishay
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SI7430DP

Si7431DP Vishay Siliconix P-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.174 at VGS = - 10 V - 3.8 TrenchFET Power MOSFETs - 200 88 0.180 at VGS = - 6 V - 3.6 Ultra-Low On-Resistance Critical for Application Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Lo

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