SI7430DP - описание и поиск аналогов

 

SI7430DP - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI7430DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
 

 Аналог (замена) для SI7430DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7430DP технические параметры

 ..1. Size:486K  vishay
 si7430dp.pdf pdf_icon

SI7430DP

Si7430DP Vishay Siliconix N-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.045 at VGS = 10 V 26 Extremely Low Qgd for Reduced dV/dt, Qgd and 150 23 nC Shoot-Through 0.047 at VGS = 8 V 25 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 Compliant to RoHS

 9.1. Size:482K  vishay
 si7439dp.pdf pdf_icon

SI7430DP

Si7439DP Vishay Siliconix P-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.090 at VGS = - 10 V - 5.2 TrenchFET Power MOSFETs - 150 0.095 at VGS = - 6 V Ultra-Low On-Resistance Critical for Application - 5.0 Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profi

 9.2. Size:467K  vishay
 si7434dp.pdf pdf_icon

SI7430DP

Si7434DP Vishay Siliconix N-Channel 250-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.155 at VGS = 10 V 3.8 PWM-OptimizedTrenchFET Power MOSFET 250 0.162 at VGS = 6 V 100 % Rg Tested 3.7 Avalanche Tested APPLICATIONS Primary Side Switch In D - Telecom Power Supplies Power

 9.3. Size:493K  vishay
 si7431dp.pdf pdf_icon

SI7430DP

Si7431DP Vishay Siliconix P-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.174 at VGS = - 10 V - 3.8 TrenchFET Power MOSFETs - 200 88 0.180 at VGS = - 6 V - 3.6 Ultra-Low On-Resistance Critical for Application Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI7407DN , SI7409ADN , SI7411DN , SI7413DN , SI7414DN , SI7415DN , SI7423DN , SI7425DN , 10N65 , SI7431DP , SI7434DP , SI7439DP , SI7440DP , SI7445DP , SI7446BDP , SI7447ADP , SI7448DP .

 

 
Back to Top

 


 
.