SI7430DP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7430DP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7430DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7430DP даташит

 ..1. Size:486K  vishay
si7430dp.pdfpdf_icon

SI7430DP

Si7430DP Vishay Siliconix N-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.045 at VGS = 10 V 26 Extremely Low Qgd for Reduced dV/dt, Qgd and 150 23 nC Shoot-Through 0.047 at VGS = 8 V 25 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 Compliant to RoHS

 9.1. Size:482K  vishay
si7439dp.pdfpdf_icon

SI7430DP

Si7439DP Vishay Siliconix P-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.090 at VGS = - 10 V - 5.2 TrenchFET Power MOSFETs - 150 0.095 at VGS = - 6 V Ultra-Low On-Resistance Critical for Application - 5.0 Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profi

 9.2. Size:467K  vishay
si7434dp.pdfpdf_icon

SI7430DP

Si7434DP Vishay Siliconix N-Channel 250-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.155 at VGS = 10 V 3.8 PWM-OptimizedTrenchFET Power MOSFET 250 0.162 at VGS = 6 V 100 % Rg Tested 3.7 Avalanche Tested APPLICATIONS Primary Side Switch In D - Telecom Power Supplies Power

 9.3. Size:493K  vishay
si7431dp.pdfpdf_icon

SI7430DP

Si7431DP Vishay Siliconix P-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.174 at VGS = - 10 V - 3.8 TrenchFET Power MOSFETs - 200 88 0.180 at VGS = - 6 V - 3.6 Ultra-Low On-Resistance Critical for Application Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Lo

Другие IGBT... SI7407DN, SI7409ADN, SI7411DN, SI7413DN, SI7414DN, SI7415DN, SI7423DN, SI7425DN, IRF2807, SI7431DP, SI7434DP, SI7439DP, SI7440DP, SI7445DP, SI7446BDP, SI7447ADP, SI7448DP