SI7439DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI7439DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 88 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7439DP

SI7439DP Datasheet (PDF)

..1. Size:482K vishay
si7439dp.pdf

Si7439DPVishay SiliconixP-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.090 at VGS = - 10 V - 5.2 TrenchFET Power MOSFETs- 1500.095 at VGS = - 6 V Ultra-Low On-Resistance Critical for Application- 5.0 Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profi

9.1. Size:467K vishay
si7434dp.pdf

Si7434DPVishay SiliconixN-Channel 250-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.155 at VGS = 10 V 3.8 PWM-OptimizedTrenchFET Power MOSFET2500.162 at VGS = 6 V 100 % Rg Tested3.7 Avalanche Tested APPLICATIONS Primary Side Switch In:D - Telecom Power SuppliesPower

9.2. Size:486K vishay
si7430dp.pdf

Si7430DPVishay SiliconixN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.045 at VGS = 10 V 26 Extremely Low Qgd for Reduced dV/dt, Qgd and150 23 nCShoot-Through0.047 at VGS = 8 V 25 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8 Compliant to RoHS

9.3. Size:493K vishay
si7431dp.pdf

Si7431DPVishay SiliconixP-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.174 at VGS = - 10 V - 3.8 TrenchFET Power MOSFETs- 200 880.180 at VGS = - 6 V - 3.6 Ultra-Low On-Resistance Critical for Application Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Lo

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