SI7457DP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7457DP 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-SO-8
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SI7457DP datasheet
si7457dp.pdf
Si7457DP Vishay Siliconix P-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.042 at VGS = - 10 V - 28 TrenchFET Power MOSFET - 100 67 nC 0.045 at VGS = - 6 V - 28 PowerPAK SO-8 S S 6.15 mm 5.15 mm 1 S 2 S 3 G 4 G D 8 D 7 D 6 D 5 Bottom View D Ordering I
si7456cdp.pdf
New Product Si7456CDP Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0235 at VGS = 10 V 27.5 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested 0.0245 at VGS = 7.5 V 100 27 7.7 nC 100 % UIS Tested 0.0315 at VGS = 4.5 V 24 Compliant to RoHS D
si7456dp.pdf
Si7456DP Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.025 at VGS = 10 V 9.3 TrenchFET Power MOSFETs 100 0.028 at VGS = 6.0 V New Low Thermal Resistance PowerPAK 8.8 Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching 100 % Rg Test
si7454cdp.pdf
New Product Si7454CDP Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0305 at VGS = 10 V 22 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 7.5 V 100 21 9.5 nC 100 % UIS Tested 0.043 at VGS = 4.5 V 18.5 Compliant to RoHS Di
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: PJU1NA50 | NTP22N06 | IRF840ALPBF | 3N80G-TMS4-R | NTP5411NG | HFS8N70U | DHS020N88E
🌐 : EN ES РУ
Liste
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