SI7478DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7478DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
- Selección de transistores por parámetros
SI7478DP Datasheet (PDF)
si7478dp.pdf

Si7478DPVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0075 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET600.0088 at VGS = 4.5 V New Low Thermal Resistance PowerPAK18.5Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedPowerPAK SO-8 S6.15 mm 5.15 mm
si7478dp-t1.pdf

SI7478DP-T1www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.006 at VGS = 10 V 80 Material categorization:600.007 at VGS = 4.5 V 65DDFN5X6Top ViewTop View Bottom View1827G3645PIN1SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 2
si7476dp.pdf

Si7476DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0053 at VGS = 10 V 25 TrenchFET Power MOSFET400.0066 at VGS = 4.5 V 23 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm ProfilePowerPAK SO-8 DS6.15 mm 5.15 mm 1S
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: 2SK2931 | FQPF13N50C
History: 2SK2931 | FQPF13N50C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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