SI7478DP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7478DP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

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SI7478DP datasheet

 ..1. Size:465K  vishay
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SI7478DP

Si7478DP Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0075 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET 60 0.0088 at VGS = 4.5 V New Low Thermal Resistance PowerPAK 18.5 Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK SO-8 S 6.15 mm 5.15 mm

 0.1. Size:1024K  cn vbsemi
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SI7478DP

SI7478DP-T1 www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.006 at VGS = 10 V 80 Material categorization 60 0.007 at VGS = 4.5 V 65 D DFN5X6 Top View Top View Bottom View 1 8 2 7 G 3 6 4 5 PIN1 S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 2

 9.1. Size:463K  vishay
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SI7478DP

Si7476DP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0053 at VGS = 10 V 25 TrenchFET Power MOSFET 40 0.0066 at VGS = 4.5 V 23 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile PowerPAK SO-8 D S 6.15 mm 5.15 mm 1 S

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