SI7483ADP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI7483ADP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 120 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7483ADP

SI7483ADP Datasheet (PDF)

..1. Size:465K vishay
si7483adp.pdf

Si7483ADPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0057 at VGS = - 10 V - 24 TrenchFET Power MOSFETS30 New Low Thermal Resistance PowerPAK0.0095 at VGS = - 4.5 V - 17 Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg testedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8

..2. Size:967K cn vbsemi
si7483adp.pdf

SI7483ADPwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.004 at VGS = - 10 V - 120COMPLIANT - 30 130 nC 100 % Rg Tested0.006 at VGS = - 4.5 V - 100APPLICATIONS Notebook- Load SwitchSDFN5X6Top ViewTop View Bottom View18G27364

9.1. Size:468K vishay
si7485dp.pdf

Si7485DPVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0073 at VGS = - 4.5 V - 20 TrenchFET Power MOSFETs0.0090 at VGS = - 2.5 V - 20 - 18 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile 0.013 at VGS = - 1.8 V - 15APPLICATIONS

9.2. Size:472K vishay
si7489dp.pdf

Si7489DPVishay SiliconixP-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.041 at VGS = - 10 V - 28 TrenchFET Power MOSFET- 100 54 nC0.047 at VGS = - 4.5 V - 28PowerPAK SO-8SS6.15 mm 5.15 mm1S2S3G4GD8D7D6D5Bottom ViewDOrdering

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