Справочник MOSFET. SI7483ADP

 

SI7483ADP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI7483ADP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

 Аналог (замена) для SI7483ADP

 

 

SI7483ADP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:465K  vishay
 si7483adp.pdf

SI7483ADP SI7483ADP

Si7483ADPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0057 at VGS = - 10 V - 24 TrenchFET Power MOSFETS30 New Low Thermal Resistance PowerPAK0.0095 at VGS = - 4.5 V - 17 Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg testedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8

 ..2. Size:967K  cn vbsemi
 si7483adp.pdf

SI7483ADP SI7483ADP

SI7483ADPwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.004 at VGS = - 10 V - 120COMPLIANT - 30 130 nC 100 % Rg Tested0.006 at VGS = - 4.5 V - 100APPLICATIONS Notebook- Load SwitchSDFN5X6Top ViewTop View Bottom View18G27364

 9.1. Size:468K  vishay
 si7485dp.pdf

SI7483ADP SI7483ADP

Si7485DPVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0073 at VGS = - 4.5 V - 20 TrenchFET Power MOSFETs0.0090 at VGS = - 2.5 V - 20 - 18 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile 0.013 at VGS = - 1.8 V - 15APPLICATIONS

 9.2. Size:472K  vishay
 si7489dp.pdf

SI7483ADP SI7483ADP

Si7489DPVishay SiliconixP-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.041 at VGS = - 10 V - 28 TrenchFET Power MOSFET- 100 54 nC0.047 at VGS = - 4.5 V - 28PowerPAK SO-8SS6.15 mm 5.15 mm1S2S3G4GD8D7D6D5Bottom ViewDOrdering

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top