SI7491DP Todos los transistores

 

SI7491DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7491DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI7491DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:475K  vishay
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SI7491DP

Si7491DPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0085 at VGS = - 10 V - 18 TrenchFET Power MOSFETS30 New Low Thermal Resistance PowerPAK0.013 at VGS = - 4.5 V - 14 Package with Low 1.07 mm Profile APPLICATIONSPowerPAK SO-8 Battery and Load Swit

 9.1. Size:467K  vishay
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SI7491DP

Si7495DPVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0065 at VGS = - 4.5 V - 21 TrenchFET Power MOSFET New Low Thermal Resistance PowerPAK0.008 at VGS = - 2.5 V - 19- 12Package with Low 1.07 mm Profile 0.011 at VGS = - 1.8V - 16APPLICATIONS Load Sw

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History: FQP7N40 | IRFU9310PBF | CS2N70HD | VN1206N1 | BSG0813NDI | FQP4N50 | AOB7S60L

 

 
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