SI7491DP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7491DP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

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SI7491DP datasheet

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SI7491DP

Si7491DP Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0085 at VGS = - 10 V - 18 TrenchFET Power MOSFETS 30 New Low Thermal Resistance PowerPAK 0.013 at VGS = - 4.5 V - 14 Package with Low 1.07 mm Profile APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Battery and Load Swit

 9.1. Size:467K  vishay
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SI7491DP

Si7495DP Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0065 at VGS = - 4.5 V - 21 TrenchFET Power MOSFET New Low Thermal Resistance PowerPAK 0.008 at VGS = - 2.5 V - 19 - 12 Package with Low 1.07 mm Profile 0.011 at VGS = - 1.8V - 16 APPLICATIONS Load Sw

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