Справочник MOSFET. SI7491DP

 

SI7491DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI7491DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 56 nC
   trⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

 Аналог (замена) для SI7491DP

 

 

SI7491DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:475K  vishay
 si7491dp.pdf

SI7491DP SI7491DP

Si7491DPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0085 at VGS = - 10 V - 18 TrenchFET Power MOSFETS30 New Low Thermal Resistance PowerPAK0.013 at VGS = - 4.5 V - 14 Package with Low 1.07 mm Profile APPLICATIONSPowerPAK SO-8 Battery and Load Swit

 9.1. Size:467K  vishay
 si7495dp.pdf

SI7491DP SI7491DP

Si7495DPVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0065 at VGS = - 4.5 V - 21 TrenchFET Power MOSFET New Low Thermal Resistance PowerPAK0.008 at VGS = - 2.5 V - 19- 12Package with Low 1.07 mm Profile 0.011 at VGS = - 1.8V - 16APPLICATIONS Load Sw

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SSF80R600S2

 

 
Back to Top