SI7540DP Todos los transistores

 

SI7540DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7540DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI7540DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:531K  vishay
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SI7540DP

Si7540DPVishay SiliconixN- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.017 at VGS = 4.5 V 11.8 TrenchFET Power MOSFETsN-Channel 12 New Low Thermal Resistance PowerPAK 0.025 at VGS = 2.5 V 9.8Package with Low 1.07 mm Profile0.032 at VGS = - 4.5 V - 8.9 PWM

 8.1. Size:441K  vishay
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SI7540DP

Si7540ADPwww.vishay.comVishay SiliconixN- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Thermally enhanced PowerPAK 0.0150 at VGS = 4.5 V 12.0 a, bN-Channel 20 8.5 nC 100 % Rg tested0.0195 at VGS = 2.5 V 10.7 a, b Material categorization: 0.0280 at VGS = -4.5 V -9.0 a, bfor de

Otros transistores... SI7476DP , SI7478DP , SI7483ADP , SI7485DP , SI7489DP , SI7491DP , SI7495DP , SI7540ADP , MDF11N65B , SI7601DN , SI7611DN , SI7613DN , SI7615ADN , SI7615DN , SI7617DN , SI7619DN , SI7620DN .

 

 
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