SI7540DP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7540DP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

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SI7540DP datasheet

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SI7540DP

Si7540DP Vishay Siliconix N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.017 at VGS = 4.5 V 11.8 TrenchFET Power MOSFETs N-Channel 12 New Low Thermal Resistance PowerPAK 0.025 at VGS = 2.5 V 9.8 Package with Low 1.07 mm Profile 0.032 at VGS = - 4.5 V - 8.9 PWM

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SI7540DP

Si7540ADP www.vishay.com Vishay Siliconix N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Thermally enhanced PowerPAK 0.0150 at VGS = 4.5 V 12.0 a, b N-Channel 20 8.5 nC 100 % Rg tested 0.0195 at VGS = 2.5 V 10.7 a, b Material categorization 0.0280 at VGS = -4.5 V -9.0 a, b for de

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