SI7540DP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7540DP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7540DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7540DP даташит

 ..1. Size:531K  vishay
 si7540dp.pdf pdf_icon

SI7540DP

Si7540DP Vishay Siliconix N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.017 at VGS = 4.5 V 11.8 TrenchFET Power MOSFETs N-Channel 12 New Low Thermal Resistance PowerPAK 0.025 at VGS = 2.5 V 9.8 Package with Low 1.07 mm Profile 0.032 at VGS = - 4.5 V - 8.9 PWM

 8.1. Size:441K  vishay
 si7540adp.pdf pdf_icon

SI7540DP

Si7540ADP www.vishay.com Vishay Siliconix N- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) Thermally enhanced PowerPAK 0.0150 at VGS = 4.5 V 12.0 a, b N-Channel 20 8.5 nC 100 % Rg tested 0.0195 at VGS = 2.5 V 10.7 a, b Material categorization 0.0280 at VGS = -4.5 V -9.0 a, b for de

Другие IGBT... SI7476DP, SI7478DP, SI7483ADP, SI7485DP, SI7489DP, SI7491DP, SI7495DP, SI7540ADP, AOD4184A, SI7601DN, SI7611DN, SI7613DN, SI7615ADN, SI7615DN, SI7617DN, SI7619DN, SI7620DN