SI7615DN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7615DN 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 780 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-1212-8
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SI7615DN datasheet
si7615dn.pdf
New Product Si7615DN Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0039 at VGS = - 10 V - 35a TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET 0.0055 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % Rg Tested - 35a 62 nC 100 % UIS Tested 0.0098 at VGS = - 2.5 V - 35a
si7615cdn.pdf
Si7615CDN www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8 Single D TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET D 8 D 7 RDS(on) rating at VGS = -1.8 V D 6 5 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 1 2 S S 3 S APPLICATIONS S 4 S 1 G
si7615adn.pdf
New Product Si7615ADN Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0044 at VGS = - 10 V - 35a Material categorization 0.0060 at VGS = - 4.5 V - 20 - 35a 59 nC For definitions of compliance please see 0.0098 at VGS = - 2.5 V
si7619dn.pdf
New Product Si7619DN Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.021 at VGS = - 10 V - 24e - 30 15 nC 100 % Rg Tested 0.034 at VGS = - 4.5 V - 18.7 100 % UIS Tested PowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directiv
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: SI7946ADP | UTT60P03
🌐 : EN ES РУ
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