SI7615DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI7615DN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 38 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
SI7615DN Datasheet (PDF)
si7615dn.pdf
New ProductSi7615DNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0039 at VGS = - 10 V - 35a TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET0.0055 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % Rg Tested- 35a 62 nC 100 % UIS Tested0.0098 at VGS = - 2.5 V - 35a
si7615cdn.pdf
Si7615CDNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8 SingleD TrenchFET Gen III p-channel power MOSFETD8D7 RDS(on) rating at VGS = -1.8 VD65 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912112SS3SAPPLICATIONSS4S1G
si7615adn.pdf
New ProductSi7615ADNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0044 at VGS = - 10 V - 35a Material categorization:0.0060 at VGS = - 4.5 V - 20- 35a 59 nCFor definitions of compliance please see0.0098 at VGS = - 2.5 V
si7619dn.pdf
New ProductSi7619DNVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.021 at VGS = - 10 V - 24e- 30 15 nC 100 % Rg Tested0.034 at VGS = - 4.5 V - 18.7 100 % UIS TestedPowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directiv
si7613dn.pdf
New ProductSi7613DNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e,f Qg (Typ.)Definition0.0087 at VGS = - 10 V - 35 TrenchFET Power MOSFET- 20 28.1 nC Low Thermal Resistance PowerPAK0.014 at VGS = - 4.5V - 35Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile
si7617dn.pdf
New ProductSi7617DNVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () ID (A)d, g Qg (Typ.)Definition0.0123 at VGS = - 10 V - 35 TrenchFET Power MOSFET- 30 20.5 nC0.0222 at VGS = - 4.5 V - 35 100% Rg Tested 100% UIS TestedPowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directi
si7611dn.pdf
New ProductSi7611DNVishay SiliconixP-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.025 at VGS = - 10 V - 18e Low Thermal Resistance PowerPAKRoHS- 40 41 nCPackage with Small Size and Low 1.07 mm COMPLIANT0.033 at VGS = - 4.5V - 18eProfile 100 % Rg and UIS TestedAPPLI
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
