SI7623DN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7623DN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 645 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
Búsqueda de reemplazo de SI7623DN MOSFET
SI7623DN PDF Specs
si7623dn.pdf
New Product Si7623DN Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0038 at VGS = - 10 V - 35a Material categorization 0.0053 at VGS = - 4.5 V - 20 - 35a 55.5 nC For definitions of compliance please see 0.0090 at VGS = - 2.5 V... See More ⇒
si7625dn.pdf
New Product Si7625DN Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.007 at VGS = - 10 V - 35d TrenchFET Power MOSFET - 30 39.5 nC 100% Rg Tested 0.011 at VGS = - 4.5 V - 35d 100% UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK 1... See More ⇒
si7629dn.pdf
New Product Si7629DN Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0046 at VGS = - 10 V - 35a Material categorization - 20 0.0062 at VGS = - 4.5 V - 35a 59 nC For definitions of compliance please see 0.0117 at VGS = - 2.5 V - 35a www.v... See More ⇒
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Liste
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