SI7623DN Todos los transistores

 

SI7623DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7623DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 645 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
 

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SI7623DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:579K  vishay
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SI7623DN

New ProductSi7623DNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0038 at VGS = - 10 V - 35a Material categorization:0.0053 at VGS = - 4.5 V - 20- 35a 55.5 nCFor definitions of compliance please see0.0090 at VGS = - 2.5 V

 9.1. Size:105K  vishay
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SI7623DN

Si7621DNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.090 at VGS = - 4.5 V - 4c TrenchFET Power MOSFET: 2.5 V Rated- 20 3.8 nC0.180 at VGS = - 2.5 V - 4c PowerPAK Package- Low Thermal Resistance- Low 1.07 mm Profile 100 Rg Tested

 9.2. Size:126K  vishay
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SI7623DN

New ProductSi7625DNVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.007 at VGS = - 10 V - 35d TrenchFET Power MOSFET- 30 39.5 nC 100% Rg Tested0.011 at VGS = - 4.5 V - 35d 100% UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 1

 9.3. Size:576K  vishay
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SI7623DN

New ProductSi7629DNVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0046 at VGS = - 10 V - 35a Material categorization:- 20 0.0062 at VGS = - 4.5 V - 35a 59 nCFor definitions of compliance please see0.0117 at VGS = - 2.5 V - 35awww.v

Otros transistores... SI7611DN , SI7613DN , SI7615ADN , SI7615DN , SI7617DN , SI7619DN , SI7620DN , SI7621DN , IRFZ44 , SI7625DN , SI7629DN , SI7633DP , SI7634BDP , SI7635DP , SI7636DP , SI7655ADN , SI7655DN .

History: FDD6N50TF | 2SJ125

 

 
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